8分鐘前 吳川平板曝光顯影加工定做來電洽談 東莞利成感光五金[利成感光38dbdb8]內容：顯影液去除并且清洗（rinse）：達到顯影時間后，使用DIW立即沖洗晶圓表面。去離子水不僅可以使顯影過程終止，而且會把顯影后缺陷顆粒沖洗掉。在沖洗過程中，晶圓旋轉產生的離心力也對去除表面顆粒有很大的幫助。準備基礎物質：先選擇基礎物質如硅片，并在其表面上涂上一層光刻膠。布圖設計：根據芯片設計，制定合適的曝光和顯影條件，并在計算機上生成掩模圖形來輔助芯片制造。

曝光不足，導致單體聚合不，那么在顯影過程中，會使的膠膜變軟，線條不清晰，色澤暗淡，脫膠。曝光過度，會造成難顯影，留有殘膠。同時曝光影響圖案的線寬，過量曝光會使圖形線條變細，盡管對193i負膠的研發已經傾注了很大的努力，但是其性能仍然與正膠有比較大的差距，所以提出負顯影（Negative Tone Develop，NTD）。用負顯影工藝可以實現較窄的溝槽，負顯影工藝已經被廣泛用于20納米及以下技術節點的量產中

顯影：使用顯影液將未曝光的光刻膠清除掉，將芯片圖案暴露出來。刻蝕：使用化學反應或物理方法將芯片表面的材料刻蝕掉，形成所需的電子器件結構。清洗：將芯片在化學清洗液中清洗干凈，并使用干燥器進行干燥。顯影液去除并且清洗（rinse）：達到顯影時間后，使用DIW立即沖洗晶圓表面。去離子水不僅可以使顯影過程終止，而且會把顯影后缺陷顆粒沖洗掉。

曝光顯影是一種工程加工技術，用于制造半導體芯片、液晶顯示器等微電子器件，以及印刷和攝影等領域。曝光顯影使用特定的光刻膠和掩膜，在曝光和顯影兩個步驟中將所需的圖案或形狀轉移到底材表面。盡管對193i負膠的研發已經傾注了很大的努力，但是其性能仍然與正膠有比較大的差距，所以提出負顯影（Negative Tone Develop，NTD）。用負顯影工藝可以實現較窄的溝槽，負顯影工藝已經被廣泛用于20納米及以下技術節點的量產中 [1]。