干法清洗主要是采用氣態(tài)的刻蝕不規(guī)則分布的有結(jié)構(gòu)的晶圓二氧化硅層，雖然具有對(duì)不同薄膜有高選擇比的優(yōu)點(diǎn)，但可清洗污染物比較單一，目前在 28nm 及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的邏輯產(chǎn)品和存儲(chǔ)產(chǎn)品有應(yīng)用。晶圓制造產(chǎn)線上通常以濕法清洗為主，少量特定步驟采用濕法和干法清洗相結(jié)合的方式互補(bǔ)所短，在短期內(nèi)濕法工藝和干法工藝無(wú)相互替代的趨勢(shì)，目前濕法清洗是主流的清洗技術(shù)路線，占比達(dá)芯片制造清洗步驟數(shù)量的 90%。

一種半導(dǎo)體氧化設(shè)備,其配有:由室壁界定的可密封氧化室;設(shè)置于氧化室內(nèi),并用來(lái)支撐半導(dǎo)體樣品的基座;用于向所述氧化室供應(yīng)對(duì)所述

半導(dǎo)體樣品的特定部分進(jìn)行氧化的水蒸汽的供應(yīng)部分;監(jiān)測(cè)窗，其設(shè)置于所述氧化室的室壁之一內(nèi),并且設(shè)置于能夠面對(duì)支撐于所述基座上的所述半導(dǎo)體樣品的位置處;監(jiān)測(cè)部分,其設(shè)置于所述氧化室之外，并且能夠經(jīng)由所述監(jiān)測(cè)窗面對(duì)支撐于所述基座上的半導(dǎo)體樣品;以及調(diào)整所述基座和所述監(jiān)測(cè)部分之間的距離的調(diào)整部分。

半導(dǎo)體設(shè)備泛指用于生產(chǎn)各類半導(dǎo)體產(chǎn)品所需的生產(chǎn)設(shè)備，屬于半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵支撐環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)先導(dǎo)者，芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造和封裝測(cè)試等需在設(shè)備技術(shù)允許的范圍內(nèi)設(shè)計(jì)和制造，設(shè)備的技術(shù)進(jìn)步又反過(guò)來(lái)推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。半導(dǎo)體氧化設(shè)備以及一種制造半導(dǎo)體元件的方法，其能夠沿平面方向保持包含在半導(dǎo)體樣品內(nèi)的選擇氧化層的氧化量的均勻性， 并適當(dāng)?shù)乜刂蒲趸俊?p>