對(duì)圓周方向的電阻值的不均勻依然無(wú)法改善。

此外，采用連續(xù)硫化法時(shí)，如果硫化時(shí)的熱傳遞沒有設(shè)法盡量達(dá)到均勻，則擠壓后的硫化速度不一致，這樣可能電阻值的不均勻程度反而大于間歇式硫化法。特別是在圓周方向上這種傾向更顯著。

采用連續(xù)硫化法時(shí)，在擠壓機(jī)的擠壓筒內(nèi)的半徑方向上有非常大的剪切速度分布，這可能會(huì)影響電子導(dǎo)電性填充劑的分散。

在儲(chǔ)存技術(shù)方面，高密度、大容量硬盤的發(fā)展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoF~Cu多層復(fù)合膜是如今應(yīng)用廣泛的巨磁阻薄膜結(jié)構(gòu)。磁光盤需要的TbFeCo合金靶材還在進(jìn)一步發(fā)展，用它制造的磁光盤具有存儲(chǔ)容量大，壽命長(zhǎng)，可反復(fù)無(wú)接觸擦寫的特點(diǎn)。眾所周知，靶材材料的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)與下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的薄膜技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)息息相關(guān)，隨著應(yīng)用產(chǎn)業(yè)在薄膜產(chǎn)品或元件上的技術(shù)改進(jìn)，靶材技術(shù)也應(yīng)隨之變化。如今開發(fā)出來(lái)的磁光盤，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的層復(fù)合膜結(jié)構(gòu)，TbFeCo/AI結(jié)構(gòu)的Kerr旋轉(zhuǎn)角達(dá)到58，而TbFeCofFa則可以接近0.8。經(jīng)過(guò)研究發(fā)現(xiàn)，低磁導(dǎo)率的靶材高交流局部放電電壓l抗電強(qiáng)度。

在深加工產(chǎn)品這一領(lǐng)域，如何來(lái)提升產(chǎn)品的技術(shù)含量和檔次，納米技術(shù)、納米材料的科學(xué)研究，實(shí)踐應(yīng)用是這個(gè)產(chǎn)業(yè)向產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的方向，成為當(dāng)代關(guān)注和競(jìng)爭(zhēng)的主要課題。

納米、（nm）納米技術(shù)、納米材料是當(dāng)代科技領(lǐng)域中的熱門名詞，已經(jīng)成為現(xiàn)實(shí)和潛在的巨大的應(yīng)用前景的納米銀線，已在山東、浙江、北京等地進(jìn)入人們的視野，并進(jìn)入國(guó)際市場(chǎng)，如果按照銀的當(dāng)前價(jià)7元/克計(jì)算的話，納米銀線的價(jià)格將是銀價(jià)的350倍以上。

燒結(jié)法：ITO靶材燒結(jié)制作法是在以銦錫氧化物共沉淀粉末或氧化銦和氧錫混合粉末為原料，加入粘結(jié)劑和分散劑混合后，壓力成型，脫脂，然后于1400℃---1600℃燒結(jié)。熱等靜壓工藝制造產(chǎn)品密度高、物理機(jī)械性能好，但設(shè)備投入高，生產(chǎn)成本高，產(chǎn)品的缺氧率高。燒結(jié)法設(shè)備投入少，成本低，產(chǎn)品密度高、缺氧率低，尺寸大、但制造過(guò)程中對(duì)粉末的選擇性很強(qiáng)。

ITO靶制備的透明導(dǎo)電薄膜廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、投影電視、數(shù)碼顯示的各種光學(xué)系統(tǒng)中，全球需求量都很大。