干法清洗主要是采用氣態(tài)的刻蝕不規(guī)則分布的有結構的晶圓二氧化硅層，雖然具有對不同薄膜有高選擇比的優(yōu)點，但可清洗污染物比較單一，目前在 28nm 及以下技術節(jié)點的邏輯產品和存儲產品有應用。晶圓制造產線上通常以濕法清洗為主，少量特定步驟采用濕法和干法清洗相結合的方式互補所短，在短期內濕法工藝和干法工藝無相互替代的趨勢，目前濕法清洗是主流的清洗技術路線，占比達芯片制造清洗步驟數量的 90%。

在濕法清洗工藝路線下，目前主流的清洗設備主要包括單片清洗設備、槽式清洗設備、組合式清洗設備和批式旋轉噴淋清洗設備等，其中單片清洗設備市場份額占比高。濕法清洗工藝路線下主流的清洗設備存在先進程度的區(qū)分，主要體現(xiàn)在可清洗顆粒大小、金屬污染、腐蝕均一性以及干燥技術等標準。目前至純科技主要生產濕法清洗設備，提供槽式設備（槽數量按需配置）及單片機設備（8-12 反應腔），均可以覆蓋 8-12 寸晶圓制造的濕法工藝設備。

隨著半導體芯片工藝技術節(jié)點進入 28 納米、14 納米等更先進等級，工藝流程的延長且越趨復雜，產線成品率也會隨之下降。造成這種現(xiàn)象的一個原因就是先進制程對雜質的敏感度更高，小尺寸污染物的清洗更困難。解決的方法主要是增加清洗步驟。每個晶片在整個制造過程中需要甚至超過 200 道清洗步驟，晶圓清洗變得更加復雜、重要及富有挑戰(zhàn)性。